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J-GLOBAL ID:200903085249373738

水熱合成法による薄膜製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大家 邦久 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996077044
Publication number (International publication number):1997217178
Application date: Mar. 29, 1996
Publication date: Aug. 19, 1997
Summary:
【要約】【構成】 加圧条件下、複数の金属塩を溶解した水性溶液中に基板を保持し、鉛直方向に1Hz以上の振動を与えつつ加熱することにより基板上に複合酸化物の薄膜を形成する水熱合成法であって、基板表面の金属元素に対応する化合物を除いた残余の組合せからなる複合酸化物生成原料を用いて1段階で水熱合成する方法、及び前記1段階目で複合酸化物の結晶核を析出せしめた後すべての原料化合物を用いて2段階で水熱合成する方法。【効果】 分極処理を施さずとも圧電特性を示す複合酸化物薄膜を大面積かつ均一な厚みに製造できる。焼成等の高温処理を必要としないため、基板に有機材料を用いることもできる。このため、圧電モノモルフや圧電バイモルフ等の圧電素子、積層型アクチュエータ、積層型コンデンサ等様々な複合材料の製造に応用できる。
Claim (excerpt):
加圧条件下、複数の金属塩を溶解した水性溶液中に基板を保持し加熱することにより基板上に複合酸化物の薄膜を形成する水熱合成法において、水熱合成時に鉛直方向に1Hz以上の振動を与えることを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (8):
C23C 18/12 ,  B01J 19/08 ,  C01G 1/00 ,  C01G 25/00 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/22 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (8):
C23C 18/12 ,  B01J 19/08 F ,  C01G 1/00 B ,  C01G 25/00 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/22 A

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