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J-GLOBAL ID:200903085295398303

誘導結合プラズマ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 磯野 道造
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002361630
Publication number (International publication number):2003249493
Application date: Dec. 13, 2002
Publication date: Sep. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 誘導結合プラズマ装置を提供する。【解決手段】 ウェーハサセプタが設けられる下部プロセスチャンバ2と、下部プロセスチャンバ2の上に設けられる上部プラズマソースチャンバ1と、上部プラズマソースチャンバ1内に設けられ、ガスが流動するチャンネル33を有してプラズマ反応物を下部プロセスチャンバ2に供給する反応器3と、上部プラズマソースチャンバ1と反応器3との間に設けられ、反応器3を囲繞するインダクタ4と、インダクタ4が設置される反応器3の周囲空間と下部プロセスチャンバ2との間に設けられる開口部とこれを開閉するシャッタ9とを具備して構成される。これにより、プラズマソースから放出されるラジカルをより均一に放射させることが可能となる。
Claim (excerpt):
基板が備えられるウェーハサセプタを有する下部プロセスチャンバと、前記下部プロセスチャンバの上部に設けられる上部プラズマソースチャンバと、前記上部プラズマソースチャンバ内に設けられ、ガスが流動するチャンネルを有してプラズマ反応物を前記下部プロセスチャンバに供給する反応器と、前記上部プラズマソースチャンバと反応器との間に設けられ、前記反応器を囲繞するインダクタと、前記インダクタが備えられた反応器の周囲の空間と前記下部プロセスチャンバとの間に配置される開口部、及びこの開口部を開閉するシャッタと、を具備して構成される誘導結合プラズマ装置。
IPC (4):
H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46
FI (4):
H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 L
F-Term (29):
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB24 ,  4G075EC09 ,  4G075EE31 ,  4G075FB04 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA04 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AF01 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EH11 ,  5F045EH18
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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