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J-GLOBAL ID：200903085313700373

炭化ケイ素発光ダイオード素子

Inventor： 國里 竜也 ,  八木 克己
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094339
Publication number (International publication number)：1994310752
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型SiC側から十分な光取り出しが行えるSiC発光ダイオード素子をを提供することを目的とする。【構成】 n型SiC単結晶基板1と、n型SiC単結晶基板1上に形成されたn型SiC層2と、n型SiC層2上に形成されたp型SiC層3と、p型SiC層3上に形成されたp型側オーミック電極4を備え、このp型側オーミック電極4はその輪郭領域P内に前記p型SiC層3を露出する部分を有するように形成した構成である。

Claim (excerpt)：

p型SiC上にp型側オーミック電極を形成した炭化ケイ素発光ダイオード素子において、該p型側オーミック電極はその輪郭領域内に前記p型SiCを露出する部分を有するように形成されたことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。