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J-GLOBAL ID：200903085314735308

反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

Inventor：
水谷 一良

About 水谷 一良

, 
百田 淳

About 百田 淳


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 萩野 平 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997023884
Publication number (International publication number)：1998221855
Application date： Feb. 06, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 反射光防止効果が高く、フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、加熱乾燥時にフォトレジスト中への拡散物がなく、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、所定の基板上に微細な画像を精密に描くことのできる反射防止膜材料組成物及びレジストパターン形成方法を得る。【解決手段】 主鎖中にビニルアルコールを繰り返し構造単位として含む高分子化合物の該アルコール部の少なくとも一部に、365nm、248nmまたは193nmのうちのいずれかの波長光に対してのモル吸光係数が10,000以上であるクロモフォアが連結した構造を有する高分子化合物を含有する反射防止膜材料組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法。
Claim (excerpt)：
主鎖中にビニルアルコールを繰り返し構造単位として含む高分子化合物の該アルコール部の少なくとも一部に、365nm、248nmまたは193nmのうちのいずれかの波長光に対してのモル吸光係数が10,000以上であるクロモフォアが連結した構造を有する高分子化合物を含有することを特徴とする反射防止膜材料組成物。
IPC (5)：
G03F 7/11 503 ,  C09D 5/00 ,  C09D129/04 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 7/11 503 ,  C09D 5/00 M ,  C09D129/04 Z ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/30 574
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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