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J-GLOBAL ID：200903085317459743

気相反応装置

Inventor： 大山 勝美 ,  長崎 恵一
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156044
Publication number (International publication number)：1994349810
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 セルフクリーニングによりセラミック部品が劣化しないプラズマCVD装置を提供する。【構成】 反応炉を有し、該反応炉内には少なくともシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャワー電極は絶縁リングにより支持されており、前記サセプタはその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相反応装置において、少なくとも前記絶縁リング、均熱板およびその絶縁カバーを窒化アルミニウムセラミック材料から形成する。

Claim (excerpt)：

反応炉を有し、該反応炉内には少なくともシャワー電極とサセプタが配設されており、前記シャワー電極は絶縁リングにより支持されており、前記サセプタはその上面に均熱板とその均熱板の周囲を取り囲む絶縁カバーを有する気相反応装置において、少なくとも前記絶縁リング、均熱板およびその絶縁カバーが窒化アルミニウムセラミック材料から形成されていることを特徴とする気相反応装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-070066
  
• 特開昭63-140085
  
• 特開平1-188678