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J-GLOBAL ID：200903085318290165

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 栗林 均
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050669
Publication number (International publication number)：1996250805
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】レーザ光の可干渉性が低くく、戻り光ノイズの発生が少ないマルチモードスペクトルの半導体レーザ素子を提供する。【構成】第一導電型の半導体基板1の一主面上に第一導電型のAlx Ga1-x Asからなる第1クラッド層3、バッファ層2、Al y Ga1-y As (1>x> y>0)からる活性層4、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層5を有し、第2クラッド層5にはへき開面に垂直に2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層8第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層9が順次積層されてなる半導体レーザ素子において、電流阻止層8の第3クラッド層9を挟んでいる側面の形状は電流阻止層8のキャップ層6と接する側が突出している階段状であり、2つの二酸化ケイ素層のエッチングレートの差を利用した階段状マスク71、72を用いて製造する。

Claim (excerpt)：

第一導電型の半導体基板の一主面上に第一導電型のAlx Ga1-xAsからなる第1クラッド層、Al y Ga1-y As (1>x>y>0)からなる活性層、第1導電型とは逆の導電型である第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第2クラッド層を有し、第2クラッド層にはへき開面に垂直に2分割されている第1導電型のGaAs電流阻止層および一部をこれら2つの電流阻止層によって密着して挟まれる第2導電型のAlx Ga1-x Asからなる第3クラッド層が順次積層されてなる半導体レーザ素子において、電流阻止層の第3クラッド層を挟んでいる側面の形状は電流阻止層のキャップ層と接する側が突出している階段状であることを特徴とする半導体レーザ素子。