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J-GLOBAL ID：200903085338367849

半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその形成方法

Inventor： 林 和志 ,  橘 武史
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993021530
Publication number (International publication number)：1994236855
Application date： Feb. 09, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 電極Tiの拡散を防止し、高温でも安定なオーミック電極を得ることができる半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体ダイヤモンド層上に形成される耐熱性オーミック電極において、厚さが10乃至70Åの電極Ti層と、このTi層と半導体ダイヤモンド層との間の反応により生じた炭化物層とを有する。そして、電極Ti層の上に、W,Mo,Au,Pt及びTaからなる高融点金属、Ti-Wからなる高融点合金、TiC及びTiNからなる高融点化合物からなる群から選択された少なくとも1種の材料により拡散防止層が形成されている。上記構成により、Tiの拡散及び酸化が防止される

Claim (excerpt)：

半導体ダイヤモンド層上に形成される耐熱性オーミック電極において、厚さが10乃至70Åの電極Ti層と、このTi層と前記半導体ダイヤモンド層との間の反応により生じた炭化物層とを有することを特徴とする半導体ダイヤモンド層上の耐熱性オーミック電極。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28