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J-GLOBAL ID：200903085358443061

高密度プラズマ反応装置および高密度プラズマ反応方法

Inventor： 北條 義之 ,  奥田 徹 ,  森 勇▲蔵▼
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  森 勇藏
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999307765
Publication number (International publication number)：2001120988
Application date： Oct. 28, 1999
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 スループットの向上およびガスコストの削減を可能とする高密度プラズマ反応装置および反応方法を提供する。【解決手段】高密度プラズマ反応装置100は、回転電極1と、回転電極1に高周波電圧を印加する高周波電源7と、回転電極1と平行な方向に基板2を走査させるステージ9とを備え、回転電極1の上流側に設けられる反応ガス導入部3aと、回転電極1の下流側に設けられる反応ガス排出部4aとをさらに備え、反応ガス導入部3aは、回転電極1の近傍に形成され反応ガスを導入する反応ガス導入口3を有し、反応ガス排出部4aは、回転電極1の近傍に形成されプラズマ反応後の反応ガスを排出する反応ガス排出口4を有する。

Claim (excerpt)：

回転電極と、前記回転電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、前記回転電極と平行な方向に基板を走査させる走査手段とを備え、前記回転電極を高速に回転させて、前記回転電極と前記基板との間を横切る反応ガスの高速ガス流を形成するとともに、前記高周波電源より前記回転電極に前記高周波電圧を印加して、前記反応ガスに基づく高密度プラズマを発生し、前記高密度プラズマと前記基板の処理進行部を構成する原子または分子との間でプラズマ反応を行う高密度プラズマ反応装置であって、前記高密度プラズマ反応装置は、前記回転電極の上流側に設けられる反応ガス導入手段と、前記回転電極の下流側に設けられる反応ガス排出手段とをさらに備え、前記反応ガス導入手段は、前記回転電極の近傍に形成され前記反応ガスを導入する反応ガス導入口を有し、前記反応ガス排出手段は、前記回転電極の近傍に形成され前記プラズマ反応後の前記反応ガスを排出する反応ガス排出口を有する高密度プラズマ反応装置。

IPC (4)：

B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (4)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

F-Term (45)：

4G075AA24 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB41 ,  4G075EC21 ,  4G075ED09 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030KA12 ,  4K030KA16 ,  4K030KA30 ,  4K030LA02 ,  5F004AA16 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB26 ,  5F045AA08 ,  5F045AC01 ,  5F045AC17 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC08 ,  5F045EE12 ,  5F045EE20 ,  5F045EF11 ,  5F045EF17 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EM04 ,  5F045EM10