表面改質されたエポキシ成形材料用シリカ、その製造方法、装置、及び半導体パッケージ用エポキシ成形材料

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀬谷徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001115977
Publication number (International publication number)：2002274834
Application date： Apr. 13, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】エポキシ成形材料の主成分であるシリカとエポキシ樹脂との接着力を向上すべく、シリカをプラズマ重合コーティング方法により表面改質されたシリカを提供し、さらに表面改質されたシリカを利用して各種物性が著しく改善され、かつ製造工程に環境汚染の懸念がない半導体パッケージ用エポキシ成形材料を提供する。【解決手段】アミン系化合物、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、アリルメルカプタン及びアリルアルコールから選ばれた一種以上を、プラズマ重合法によりシリカの表面にコーティングすることからなり、平均粒径が25〜35μmであるシリカを、プラズマ重合反応器に装入させた後、真空ポンプで反応器内の空気圧力を低下させ、ここに、アミン系化合物、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、アリルメルカプタン及びアリルアルコールの中から選ばれた一種以上を流入させ、プラズマ重合させる。

Claim (excerpt)：

半導体パッケージに使用されるエポキシ成形材料用シリカにおいて、シリカの表面がアミン系化合物、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、アリルメルカプタン及びアリルアルコールから選ばれた一種以上を、プラズマ重合法によりコーティングされていることを特徴とする表面改質されたエポキシ成形材料用シリカ。

IPC (9)：

C01B 33/12 , C08K 9/04 , C08L 63/00 , C09C 1/28 , C09C 3/08 , C23C 16/30 , C23C 16/507 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (8)：

C01B 33/12 Z , C08K 9/04 , C08L 63/00 C , C09C 1/28 , C09C 3/08 , C23C 16/30 , C23C 16/507 , H01L 23/30 R

F-Term (47)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072BB20 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072HH13 , 4G072JJ42 , 4G072JJ47 , 4G072QQ06 , 4G072RR25 , 4G072UU01 , 4G072UU09 , 4J002CD001 , 4J002DJ016 , 4J002FB266 , 4J037AA18 , 4J037CB04 , 4J037CB13 , 4J037CB16 , 4J037CB19 , 4J037CB21 , 4J037DD05 , 4J037EE03 , 4J037EE08 , 4J037EE12 , 4J037EE24 , 4J037EE44 , 4J037EE47 , 4J037EE48 , 4J037FF15 , 4J037FF22 , 4J037FF29 , 4K030AA09 , 4K030BA61 , 4K030CA05 , 4K030CA18 , 4K030FA04 , 4K030GA09 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030KA09 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M109AA01 , 4M109EA02 , 4M109EB13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリカフィラーの製造方法ならびにフィラー用組成物およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-200010 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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