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J-GLOBAL ID：200903085364502061

希土類元素でドーピングされたワイドギャップ半導体により形成した可視光線発光デバイス

Inventor： バークハーン、ロナルド、エイチ ,  チャオ、リャン - チウン ,  ガーター、マイケル、ジェイ ,  ステックル、アンドリュー、ジェイ
Applicant, Patent owner： ユニバーシティー オブ シンシナティ
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000614514
Publication number (International publication number)：2002543595
Application date： Apr. 17, 2000
Publication date： Dec. 17, 2002
Summary：

【要約】原子状態の遷移に基づいて種々の波長で発光する、1つまたはそれ以上の元素でドーピングされたワイドギャップ半導体層を含む可視光線発光デバイス。上記半導体は、好適には、エルビウム、プラセオジムまたはツリウムのようなランタニドでドーピングされた、GaN、InN、AlN、BNまたはその合金であることが好ましい。WBGSを焼きなますことにより、発光を改善することができる。

Claim (excerpt)：

III-V族およびIV族のワイドギャップ半導体の中の1つから選択された半導体材料を含み、前記材料内に埋設された、可視光線-紫外線スペクトル内で発光できるだけの量の発光元素を含み、前記元素が、可視光線スペクトル内またはそれより高いスペクトル内で発光するのに適している、部分的に満たされた内部遷移レベルを持つ発光元素を含む、可視光線-紫外線スペクトル内で発光する発光デバイス。

FI (3)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C

F-Term (6)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA50