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J-GLOBAL ID:200903085366348175
薄膜積層体および薄膜積層体の作製方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
友松 英爾 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993350508
Publication number (International publication number):1995201226
Application date: Dec. 28, 1993
Publication date: Aug. 04, 1995
Summary:
【要約】【目的】 本発明の目的は、通常の薄膜作製技術を用い、基板上にセラミック薄膜を形成し、電気伝導層、セラミック層の積層体を形成し、バルク体の特性値を薄膜形態で実現させるとともに、各種機能性薄膜、およびこれを用いた素子とのハイブリッドを成させ、短小軽薄を実現するものである。【構成】 第1の電気伝導層の上に、セラミック層と電気伝導層の積層構造を1単位として複数単位が積層されていることを特徴とする積層体に於いて、その積層体が基板上に形成され、かつ各層が薄膜からなることを特徴とする基板付き薄膜積層体。
Claim (excerpt):
第1の電気伝導層の上に、セラミック層と電気伝導層の積層構造を1単位として複数単位が積層されていることを特徴とする積層体に於いて、その積層体が基板上に形成され、かつ各層が薄膜からなることを特徴とする基板付き薄膜積層体。
IPC (6):
H01B 5/14
, H01G 4/33
, H01L 21/205
, H01L 41/083
, H01L 41/22
, H05K 3/46
FI (3):
H01G 4/06 102
, H01L 41/08 S
, H01L 41/22 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平1-179407
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特開平3-128681
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特開平4-298915
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