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J-GLOBAL ID：200903085368872750

半導体装置

Inventor： 小林 弘典 ,  奥田 悟志
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995003391
Publication number (International publication number)：1996188640
Application date： Jan. 12, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置において、封止樹脂の低応力化による耐湿性、耐熱衝撃性および高温放置性に優れた半導体装置を提供する。【構成】下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の(a)〜(c)成分を溶融混合させることにより得られる変性樹脂。(a)エポキシ樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の少なくとも一方。(b)粒径0.01〜5μmのメチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合樹脂。(c)シリコーンオイル。(D)無機質充填剤。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の(a)〜(c)成分を溶融混合させることにより得られる変性樹脂。(a)エポキシ樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の少なくとも一方。(b)粒径0.01〜5μmのメチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合樹脂。(c)シリコーンオイル。(D)無機質充填剤。

IPC (5)：

C08G 59/62 NJS ,  C08L 63/00 NJW ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/14 NHB

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-186724
  
• 特開昭63-099221
  
• 特開昭62-207319