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J-GLOBAL ID：200903085378012156
半導体レーザおよびその使用法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993269714
Publication number (International publication number)：1995106709
Application date： Oct. 02, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】簡単な構成で出力光の偏光状態を制御できる半導体レーザなどの光源装置およびその使用法である。【構成】直線偏光を出力する第1の半導体レーザ構造1と、第1半導体レーザ構造1と同一波長でかつ偏光方向が90°異なる直線偏光の光を出力する第2の半導体レーザ構造2と、第1と第2の半導体レーザ構造1、2の出力光を1つの導波路4へ結合させるための合流素子5と、第1と第2の半導体レーザ構造1、2の出力光が合流する際のそれらの位相関係を外部からの入力信号により調整する位相調整機構3とを備える。これらが1つの半導体基板上に形成されている。
Claim (excerpt)：
直線偏光を出力する第1の半導体レーザ構造と、第1半導体レーザ構造と同一波長でかつ偏光方向が90°異なる直線偏光の光を出力する第2の半導体レーザ構造と、第1と第2の半導体レーザ構造の出力光を1つの導波路へ結合させるための合流素子と、第1と第2の半導体レーザ構造の出力光が合流する際のそれらの位相関係を外部からの入力信号により調整する位相調整機構とが1つの半導体基板上へ形成されたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
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