超格子半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：紋田誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992322679
Publication number (International publication number)：1994112142
Application date： Jul. 26, 1984
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】新規な方法により超格子構造の半導体装置を工業的に分子層単位で精密に製造できる方法を提供すること。【構成】先端開孔が半導体基板表面近傍に向いた少なく共2本のノズルのそれぞれを介し、紫外光を前記基板表面上に照射しながら、少なく共2種類の原料ガスを成長槽の外部から該基板表面に交互に導入し、該ノズルのそれぞれに配設されたバルブの開閉と、該成長槽の真空排気のみにより、第1の半導体を1乃至数分子層単位で所定の分子層数成長させる第1工程と、前記第1の半導体の上に、前記第1の半導体とは成分元素の異なる第2の半導体を1乃至数分子層単位で所定の分子層数成長させる第2工程とを所定の回数交互に繰り返すことにより超格子半導体構造を形成する。

Claim (excerpt)：

先端開孔が半導体基板表面近傍に向いた少なく共2本のノズルのそれぞれを介して、少なく共2種類の原料ガスを成長槽の外部から該基板表面に交互に導入し、該ノズルのそれぞれに配設されたバルブの開閉と、該成長槽の真空排気のみにより、前記基板表面上の交換表面反応を実現し、該交換表面反応の1サイクルに付き半導体単結晶の少なく共1分子層を形成し、同時に紫外光を前記基板表面上に照射し、前記半導体単結晶の結晶品質を向上させ、該サイクルを繰り返すことによって所望の分子層数の単結晶を得る方法であって、(i)第1の半導体を1乃至数分子層単位で所定の分子層数成長させる工程と、(ii)前記第1の半導体の上に、前記第1の半導体とは成分元素の異なる第2の半導体を1乃至数分子層単位で所定の分子層数成長させる工程とを所定の回数交互に繰り返すことにより超格子半導体構造を形成することを特徴とする超格子半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/26 , H01L 29/86

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-034927
特開昭61-034921
特開昭61-034922

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