Pat

J-GLOBAL ID：200903085390107707

半導体集積回路

Inventor： 三ケ木 郁
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991164825
Publication number (International publication number)：1993013413
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】従来のバリアメタルであるTi-W合金膜や窒化チタン膜は、低反応性・低電気抵抗の両特性を同時には満足しない。そのため高性能・高信頼性の半導体集積回路装置を得る事が困難である。【構成】Ti膜上107とTiB2 膜108と下地膜としてのPt膜110Aと金メッキ膜112とから配線を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された拡散層と、この拡散層上に形成された金属ケイ化物膜または順次形成された多結晶シリコン膜と金属ケイ化物膜と、この金属ケイ化物膜上に順次形成されたチタン膜とホウ化チタン膜と下地膜と金膜とからなる配線とを含むことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28