被処理体の載置装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小原肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000323208
Publication number (International publication number)：2002016126
Application date： Oct. 23, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】フォーカスリング2とウエハチャック1間に真空細隙があり、両者間での熱伝達が悪く、フォーカスリング2をウエハWのようには冷却することができず、フォーカスリング2がウエハWの温度よりもかなり高くなり、この温度の影響によりウエハWの外周縁部のエッチング特性が悪くなる。【解決手段】本発明の被処理体の載置装置は、ウエハWを載置する冷媒流路11Cを内蔵したウエハチャック11と、このウエハチャック11の載置面の外周縁部に配置されたフォーカスリング12とを備え、ウエハチャック11とフォーカスリング12との間に熱伝達媒体15を介在させると共にフォーカスリング12をウエハチャック11に対して押圧、固定する固定手段16を設けたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

被処理体を載置する冷却機構を内蔵した載置台と、この載置台の載置面の外周縁部に配置されたフォーカスリングとを備えた被処理体の載置装置において、上記載置台と上記フォーカスリングとの間に熱伝達媒体を介在させたことを特徴とする被処理体の載置装置。

IPC (3)：

H01L 21/68 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/68 N , C23F 4/00 A , H01L 21/302 B

F-Term (31)：

4K057DA11 , 4K057DA13 , 4K057DD01 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DM18 , 4K057DM28 , 4K057DM35 , 4K057DM39 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004BB23 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F031HA25 , 5F031HA30 , 5F031HA38 , 5F031HA39 , 5F031MA23 , 5F031MA28 , 5F031MA32 , 5F031PA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマ処理装置用基板ホルダー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-166719 Applicant：アネルバ株式会社
半導体製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-096675 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147672 Applicant：株式会社日立製作所

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