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J-GLOBAL ID：200903085405796768
波長多重用半導体光デバイスとその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173514
Publication number (International publication number)：1995030146
Application date： Jul. 14, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 WDM光エンターコネクション用の個々に発振波長の異なった面発光レーザアレイと、その波長のみを受けるフォトディテクタアレイを実現する。【構成】 一回の成長で面発光レーザ側のエピ層のn-DBR層102、活性層103、P-DBR層104を形成し、その上にエッチング分離用のAlAs層105を成長し、更に二重共振器フォトディテクター側のエピ層となるP-DBR層106、光吸収層107、二重共振器層108、カバー層109を成長する。一回の成長でこれらを作るので面発光レーザ側と二重共振器フォトディテクター側の共振ピーク波長は、各ペアで完全に一致させることができる。次にフォトディテクター側の成長層を別のn-GaAs基板110に転写し、別々のプロセスで面発光レーザアレイに二重共振器フォトディテクターアレイを作製する。
Claim (excerpt)：
第一の半導体基板に順次、第一の半導体多層膜を含む第一の半導体成長層を成長させ、その上にエッチング分離層を成長させ、更にその上に第二の半導体多層膜を含む第二の半導体成長層を成長させた後、その成長表面を別の第二の半導体基板に押しあてた状態で温度を上げて接着させ、次にこれをエッチング液に入れてエッチング分離層を選択的に溶かし、前記第一の半導体基板、前記第一の半導体成長層からなる第一の積層構造体と、前記第二の半導体成長層、前記第二の半導体基板からなる第二の積層構造体に分離することを特徴とする波長多重用半導体光デバイスの製造方法。
IPC (3)：
H01L 31/12
, H01S 3/18
, H01S 3/25
