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J-GLOBAL ID：200903085406394582

プラズマ処理方法およびその装置

Inventor： 大坪 徹 ,  佐々木 一郎 ,  田村 仁 ,  水村 通伸
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995270866
Publication number (International publication number)：1997115882
Application date： Oct. 19, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】大口径基板に高精度なパターンを均一に形成するとともに、長時間にわたる安定な処理を可能とするプラズマ処理方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】スロットアンテナとリング状共振器を組み合わせ、複数のリング状プラズマ源を形成するとともに、このリング状プラズマ源の近傍にプラズマプロセスガスを供給するようにし、イオンとラジカルの均一化を両立できる構成とした。高周波バイアスの周波数を可変とし、イオンのエネルギとラジカルの励起状態を独立に制御できるようにし、プラズマプロセス処理特性を適正化できる構成とした。またマイクロ波を供給するスロットアンテナのスロット部分より処理室に向、発散磁場を形成することにより石英窓の削れ量を低減できる構成とした。プラズマプロセス処理の生産性を高めることが出来ると共に、半導体装置や液晶表示装置の製造の生産性及び信頼性が向上し、半導体装置や液晶表示装置製造の歩留まり向上が図れる。

Claim (excerpt)：

内部を所定の圧力に設定可能な処理室手段と、該処理室手段の内部で試料を載置する載置手段と、内部を所定の圧力に設定された前記処理室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備えて、該プラズマ発生手段で発生させたプラズマにより前記載置手段に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記プラズマ発生手段が、マイクロ波による二重以上の環状のプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ発生部と、前記二重以上の環状のマイクロ波プラズマをそれぞれ独立に制御する制御部とを有し、該制御部で前記環状に発生させた二重以上のマイクロ波プラズマをそれぞれ独立に制御して前記試料をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 B