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J-GLOBAL ID：200903085407760558

半導体レーザ

Inventor： 友村 好隆 ,  奥村 敏之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995138315
Publication number (International publication number)：1996335743
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 構造設計に自由度があり、安定した単一基本横モードの素子を歩留り良く得られ、格子不整合による転移等の欠陥や残留歪みの発生が無く、低閾値電流で青色〜青緑色のレーザ発振が得られ、長寿命で高い信頼性を有するようにする。【構成】 第1導電型InP基板1上に、第1導電型ZnCdMgSe第1クラッド層2、ZnCdMgSe活性層3及び第2導電型ZnCdMgSe第2クラッド層4が積層される。第2クラッド層2上にはストライプ状溝部を有する第1導電型電流阻止層5が形成され、溝部及び電流阻止層5上には第2導電型ZnCdMgSe第3クラッド層6が積層される。電流阻止層5は、活性層3と同じか又は小さいエネルギーギャップを有するZnCdMgSeからなり、ロスガイド構造のチャネル埋込型半導体レーザとなっている。

Claim (excerpt)：

第1導電型のInP基板上に、第1導電型の(Zn1-xCdx)1-yMgySe(0≦x≦1、0≦y≦1)第1クラッド層、(Zn1-sCds)1-tMgtSe(0≦s≦1、0≦t≦1)活性層、および第2導電型の(Zn1-xCdx)1-yMgySe(0≦x≦1、0≦y≦1)第2クラッド層が順次積層され、該第2クラッド層上にはストライプ状の溝部を有する第1導電型の電流阻止層が形成され、該溝部および電流阻止層上には少なくとも第2導電型の(Zn1-pCdp)1-qMgqSe(0≦p≦1、0≦q≦1)第3クラッド層が積層され、該電流阻止層が活性層と同じかまたは活性層より小さいエネルギーギャップを有する(Zn1-aCda)1-bMgbSe(0≦a≦1、0≦b≦1)またはZn1-cCdcS1-dSed(0≦c≦1、0≦d≦1)からなる半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D