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J-GLOBAL ID：200903085417934228

半導体基板及びその製造方法

Inventor： 末岡 浩治
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068192
Publication number (International publication number)：1993275298
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【構成】 半導体基板の表面から50μmの領域に、2.2〜4.4×1019個/cm3 の格子間Si原子が注入されている半導体基板。【効果】 半導体基板の表面から50μmの領域においては、酸素の析出が抑制され、後の熱処理により容易にDZ層を形成することができる。

Claim (excerpt)：

酸素を含む半導体基板において、該半導体基板の表面から50μmの領域に2.2〜4.4×1019個/cm3 の格子間Si原子が注入されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/322