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J-GLOBAL ID：200903085425320590

半導体メモリ

Inventor： 大西 裕明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 石川 泰男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347034
Publication number (International publication number)：1993183128
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 少ない素子数で面積が小さく、同時に低消費電力で動作マージンの大きいSRAMセルを有する半導体メモリを提供する。【構成】 高電位電源VDDと低電位電源GNDとの間に、定電流源Iと負性微分抵抗素子Dとが直列に接続され、この接続点Pにスイッチング素子Q7 を介して記憶信号の入出力端子IN/OUTが接続されており、その接続点Pの電圧をスイッチング素子Q7 を介して読み書き可能に構成される。

Claim (excerpt)：

高電位電源(VDD)と低電位電源(GND)との間に、定電流源(I)と負性微分抵抗素子(D)とが直列に接続され、この接続点(P)にスイッチング素子(Q7 )を介して記憶信号の入出力端子(IN/OUT)が接続されていることを特徴とする半導体メモリ。