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J-GLOBAL ID：200903085427283217

相変化型不揮発性記憶装置

Inventor： 市原 勝太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001296101
Publication number (International publication number)：2003100084
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 相変化材料を記憶セルとして用いる相変化型不揮発性記憶装置(Ovonic-memory)の原理的問題点を解決し、記憶装置として確実且つ容易に動作する相変化型不揮発性記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 非晶質状態と結晶状態との間で相変化可能な相変化材料を有する記憶セル(16)を備え、前記記憶セルの前記相変化材料の一部分(161)を非晶質状態と結晶状態との間で相変化させることにより第1の記憶状態と第2の記憶状態のいずれかを選択的に記憶可能とし、前記記憶セルが有する前記相変化材料の残りの部分(162)は、前記第1の記憶状態においても前記第2の記憶状態においても結晶状態を維持することにより、記憶セルの抵抗値を好適に調節してオーバーライト・モードでの書き込みを可能にできる。

Claim (excerpt)：

第1の比抵抗を有する第1の相状態と、前記第1の比抵抗とは異なる第2の比抵抗を有する第2の相状態と、の間で相変化可能な相変化材料を有する記憶セルを備え、前記記憶セルの前記相変化材料の一部分を前記第1の相状態と前記第2の相状態との間で相変化させることにより、前記第1の相状態に対応づけた第1の記録状態または前記第2の相状態に対応づけた第2の記憶状態として記憶可能とし、前記記憶セルが有する前記相変化材料の残りの部分は、前記第1の記憶状態においても前記第2の記憶状態においても前記第1の相状態にあることを特徴とする相変化型不揮発性記憶装置。

IPC (2)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/10 451

FI (2)：

G11C 13/00 A ,  H01L 27/10 451

F-Term (11)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083JA31 ,  5F083JA33 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA55 ,  5F083JA60 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21