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J-GLOBAL ID：200903085449868723
半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996057842
Publication number (International publication number)：1997252163
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、その発光強度の向上をはかる。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層(活性層)5の厚さdを1.5nm以下0.3nm以上とする。
Claim (excerpt)：
窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層の厚さを1.5nm以下0.3nm以上とすることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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