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J-GLOBAL ID：200903085461998969

半導体素子

Inventor： シャンムカム サラバナン ,  パブロ バッカロ ,  ホセ マリア サナルディ オカンポ ,  久保田 和芳 ,  斎藤 信雄
Applicant, Patent owner： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004181780
Publication number (International publication number)：2006005256
Application date： Jun. 18, 2004
Publication date： Jan. 05, 2006
Summary：

【課題】 量子ドットの高さ方向のサイズを調整し、波長スペクトルが長波長側に偏移するとともに、発光強度の低下が抑制された半導体素子を提供する。 【解決手段】 量子ドットが形成されたInAs活性層15とGaAsキャップ層17との間に、Inx Ga1-x As歪緩和層16を形成する。歪緩和層16の組成パラメータxは、活性層15との界面からの距離に対して連続的に減少するように設定されている。活性層15に生じる歪力は、歪緩和層16との格子定数の差によって決定されるが、活性層15と歪緩和層16との界面のみならず、歪緩和層16自体の格子定数のミスマッチ度によって量子ドットに生じる歪力を調整できるため、量子ドットの高さを従来のものに比べて高くでき、出力波長を長波長側に偏移させることができる。また、量子ドットの均一性が悪化することはなく、発光強度の減少を抑制することができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体の表面に、量子ドット層と、該量子ドット層に生じる歪力を緩和する歪緩和層と、該歪緩和層を被覆する被覆層とが積層された半導体素子において、 前記歪緩和層は、 前記量子ドット層を構成する第1物質と前記被覆層を構成する第2物質とを含んでおり、 前記第1物質の前記第2物質に対する組成比が、前記量子ドット層との界面からの距離に応じて異なっていること を特徴とする半導体素子。

IPC (1)：

H01S 5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (6)：

5F173AA21 ,  5F173AF09 ,  5F173AG14 ,  5F173AH03 ,  5F173AP10 ,  5F173AR02