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J-GLOBAL ID：200903085468266955

シリコン単結晶の格子間酸素濃度の測定方法及び測定装置

Inventor： 北川原 豊 ,  窪田 寛 ,  玉塚 正郎 ,  竹中 卓夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992151407
Publication number (International publication number)：1993322752
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 試料の温度変化にほとんど影響されずに、安定的、かつ、正確にシリコン単結晶の格子間酸素濃度の測定を行う。【構成】 赤外分光光度計により1106cm-1の格子間酸素吸収ピークを求め、この吸収ピークに関する(光吸収係数)×〔1+a×(ピーク半値幅)〕の値、あるいは(光吸収係数)×〔1+b×(ピーク面積)/(ピーク高さ)〕の値(ここで、aあるいはbの値は、測定条件や測定装置に依存し、あらかじめ特定の測定条件及び装置について経験的に決めておくパラメータ)によりシリコン単結晶中の格子間酸素濃度を測定する。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶中の格子間酸素の赤外局在振動モードの吸収を利用した格子間酸素濃度測定において、1106cm-1の格子間酸素の吸収ピークを求め、この吸収ピークに関する(光吸収係数)×〔1+a×(ピーク半値幅)〕の値、あるいは(光吸収係数)×〔1+b×(ピーク面積)/(ピーク高さ)〕の値(ここで、aあるいはbの値は、測定条件や測定装置に依存し、あらかじめ特定の測定条件及び装置について経験的に決めておくパラメータ)によりシリコン単結晶中の格子間酸素濃度を測定することを特徴とするシリコン単結晶の格子間酸素濃度の測定方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-195345
  
• 特開平2-168141
  
• 特開昭59-018650