MOSトランジスタ、半導体装置及びそれらの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994275095
Publication number (International publication number)：1996139315
Application date： Nov. 09, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】ホットキャリア耐性が向上したMOSトランジスタを得る。【構成】ゲート電極8の側面とゲート絶縁膜7の側面と半導体基板1の一主面に接して形成されるサイドウォール9を有したものにおいて、サイドウォール9を、半導体基板1の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布が半導体基板1の一主面との界面にピークを有するように窒素が導入された酸化膜からなるものとした。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面にチャネル領域を挟んで形成された一対のソース/ドレイン領域、これら一対のソース/ドレイン領域の間に位置する上記半導体基板の一主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極、上記ゲート電極の側面と上記ゲート絶縁膜の側面と上記半導体基板の一主面に接して形成されるとともに、窒素が導入され、上記半導体基板の一主面に垂直な方向の断面における上記窒素の濃度分布が上記半導体基板の一主面との界面にピークを有する酸化膜からなるサイドウォールを備えたMOSトランジスタ。

IPC (6)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 301 X , H01L 21/265 L , H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109212 Applicant：三菱電機株式会社
特開平3-177027
MOS型トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-194118 Applicant：ソニー株式会社

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