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J-GLOBAL ID：200903085483881640
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998097998
Publication number (International publication number)：1999297997
Application date： Apr. 09, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】トランジスタのソース領域と基板電位をとるサブコンタクト領域が隣接し、前記ソース領域と前記サブコンタクト領域が共通電位となっている半導体装置及びその製造方法に関する。トランジスタにおけるサブコンタクト領域の占有面積及びソース領域の占有面積を小さくすること。【解決手段】高融点金属シリサイド209によりソース207とサブコンタクト208を接続し、ソースとサブコンタクトを共通電位とする。【効果】サブコンタクト領域の位置合わせ余裕の減少及びメタル配線からサブコンタクト領域への直接接続が不要となり、トランジスタが小さくなる。
Claim (excerpt)：
トランジスタのソース領域と基板電位をとるサブコンタクト領域が隣接し、前記ソース領域と前記サブコンタクト領域が共通電位となっている半導体装置において、トランジスタのソース領域とサブコンタクト領域が高融点金属シリサイドをもちいて接続されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 301 S
