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J-GLOBAL ID：200903085486126834

受光素子

Inventor： ヤン・ルベレゴ ,  奥洞 明彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992170126
Publication number (International publication number)：1993343731
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：

【要約】【目的】 受光感度及び受光効率が高く、暗電流特性及び高速応答性も良好な受光素子を実現する。【構成】 半絶縁性半導体基板1上に吸収層2を設け、この吸収層2上にショットキーコンタクト層3を設ける。このショットキーコンタクト層3上に直接ショットキー電極4を設けるとともに、吸収層2及びショットキーコンタクト層3中に半絶縁性半導体基板1に達するように設けた低抵抗の拡散層6上にオーミック電極5をショットキー電極4と対向して設ける。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上に設けられた吸収層と、上記吸収層中に設けられた拡散層上に設けられたオーミック電極と、上記吸収層上に上記オーミック電極と対向して設けられたショットキー電極とを有する受光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-183169
  
• 特開昭63-269580
  
• 特開平4-225576