Pat

J-GLOBAL ID：200903085489586690

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 鮫島 俊之 ,  原 昌輝 ,  佐野 直樹 ,  ダラム パル ゴサイン ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074577
Publication number (International publication number)：1993283691
Application date： Mar. 30, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶化SiGeより成るチャネル領域を有するTFT構造を提案し、キャリア移動度の大なる薄膜トランジスタを提供する。【構成】 チャネル領域4を、結晶化SiGe薄膜より構成する。

Claim (excerpt)：

チャネル領域が、結晶化SiGe薄膜より成ることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/268

FI (2)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 29/78 311 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-168021