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J-GLOBAL ID：200903085495826601
光弁用半導体装置とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029489
Publication number (International publication number)：1994242469
Application date： Feb. 18, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高速動作可能な駆動回路を内蔵した小型の光弁装置を形成できる光弁用半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコン基板101上に形成された画素領域104と駆動回路103を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素領域下の単結晶シリコン基板のみを除去し、光透過を可能としたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
単結晶シリコン基板上に形成された画素領域と駆動回路を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素領域下の該単結晶シリコン基板は除去され、光透過を可能としたことを特徴とする光弁用半導体装置。
IPC (3)：
G02F 1/136 500
, H01L 27/15
, H01L 29/784
