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J-GLOBAL ID：200903085503081327

p型GaN系化合物半導体の製造方法

Inventor： 吉田 清輝
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997328958
Publication number (International publication number)：1999162864
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高キャリア濃度のp型GaN系化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】 800°C以上の温度に加熱されているGaN系化合物半導体にMg,Zn,Beの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をイオン注入し、ついで、窒素ガスと前記p型不純物を含有するガスから成り、かつ圧が2.026MPa以上である混合ガスの中で、イオン注入された前記GaN系化合物半導体に温度1200°C以上で10分間以上の熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

800°C以上の温度に加熱されているGaN系化合物半導体にMg,Zn,Beの群から選ばれる少なくとも1種のp型不純物をイオン注入し、ついで、窒素ガスと前記p型不純物を含有するガスから成り、かつ圧が2.026MPa以上である混合ガスの中で、イオン注入された前記GaN系化合物半導体に温度1200°C以上で10分間以上の熱処理を施すことを特徴とするp型GaN系化合物半導体の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/265 601 A ,  H01L 33/00 C ,  G02B 6/12 N ,  G02B 6/12 M