固体撮像装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993003710
Publication number (International publication number)：1994216363
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】固体撮像装置において、残像量のバラツキ,及びその絶対量の低減を目的とする。【構成】光電変換部12,電荷蓄積部13,トランスファゲート部14,CCDレジスタ部がすべて同一のN型領域に形成されている固体撮像装置において、トランスファゲート部のチャネル電位コントロール用のP型不純物イオン注入を電荷蓄積部,CCDレジスタゲート部のゲート電極をマスクとするセルフアライメントで行なうことにより、トランスファゲート部での不必要なポテンシャル井戸、バリアの発生を防止する。

Claim (excerpt)：

P(またはN)型半導体基板の表面部に選択的に形成されたN(またはP)型領域および前記N(またはP)型領域の表面部に選択的に形成された第1のP(またはN)型領域からなり入射光に応じて信号電荷を発生する光電変換部と、前記第1のP(またはN)型領域に隣接する前記N(またはP)型領域上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた蓄積ゲート電極および前記蓄積ゲート電極に負(または正)の電位を印加する手段を有し前記光電変換部からの前記信号電荷を受け取る電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に隣接して前記N(またはP)型領域の表面部に選択的に形成された第2のP(またはN)型領域、前記第2のP(またはN)型領域上に第2のゲート絶縁膜を介して設けられたトランスファゲート電極および前記トランスファゲート電極に所定のクロックパルスを印加する手段を有し所定のタイミングで前記電荷蓄積部から前記信号電荷を受け取るトランスァゲート部と、前記トランスファゲート部の前記第2のP(またはN)型領域に隣接する前記N(またはP)型領域上に第3のゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極を有し前記所定のタイミングで前記トランスファゲート部から前記信号電荷を受け取る電荷転送部とを有することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3)：

H01L 27/148 , H01L 21/339 , H01L 29/796

FI (2)：

H01L 27/14 B , H01L 29/76 301 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭60-105273
特開昭55-112746

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