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J-GLOBAL ID：200903085517554074

多層構造におけるTaSiN酸素拡散バリア

Inventor： ポール・デーヴィド・アニェロ ,  シリル・カブラル・ジュニア ,  アルフレッド・グリル ,  クリストファー・ヴィンセント・ジャーネス ,  トマス・ジョン・リカータ ,  ロノン・アンドリュー・ロイ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996001500
Publication number (International publication number)：1996236479
Application date： Jan. 09, 1996
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 多層構造における酸素またはドーパントの拡散バリアを提供する。【解決手段】 高融点金属-シリコン-窒素合金よりなる、導電性で熱安定性のある材料で製造した酸素またはドーパント拡散バリアを有する多層構造は、酸化に耐性で、シリコンからのドーパントの外方拡散を防ぎ、広いプロセス・ウィンドウを有する。ここで使用される高融点金属はTa、W、Nb、V、Ti、Zr、Hf、CrおよびMoから選択される。この構造は、高透電率の絶縁体を使用するDRAMS、FERAMS、およびNVRAMS用ベース電極として、またCMOSデバイスのポリサイド・ゲート・スタックの拡散バリアとして最適である。

Claim (excerpt)：

上面を有する導電性基層と前記導電性基層の上面に付着した高融点金属-シリコン-窒素拡散バリアとを備え、酸素との接触時に、前記高融点金属-シリコン-窒素拡散バリアが前記導電性基層を酸化から保護する、多層構造。

IPC (8)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/46 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/46 ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭60-173872
  
• 半導体集積回路用受動素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-064922   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-006061   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開昭62-089355
  
• 特開平3-224268
  
• 特開昭58-166770