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J-GLOBAL ID：200903085525742084

張合せウェハの製造方法

Inventor： 内藤 伸二 ,  青島 孝明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057567
Publication number (International publication number)：1993226305
Application date： Feb. 10, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多大な加重による鏡面研磨工程を行った場合であっても、その表面にクラックが生じることのない強固な張合せ半導体ウェハの製造方法を提供する。【構成】 張り合された2枚の半導体ウェハ110,120のうち半導体素子が形成される側の半導体ウェハ110の表面を所定の厚さまで研削し、次いで研削された側の半導体ウェハ110から他方の半導体ウェハ120に向けて下り傾斜のテーパ状の面取りを当該張り合せ半導体ウェハ100の外周部101全周に行ない、外周部にテーパ部が形成された張合せ半導体ウェハを得る。その後前記半導体素子が形成される側の半導体ウェハ110表面に鏡面研磨を行う。上記テーパ部が形成された半導体ウェハは、その半径が小さくなることなく、欠けが発生し難い形状となり、上記鏡面研磨等を行ってもクラック等が生じることがない。

Claim (excerpt)：

2枚の半導体ウェハを重ね合せた張合せ半導体ウェハの製造方法において、張り合された2枚の半導体ウェハのうち半導体素子が形成される側の半導体ウェハの表面を所定の厚さまで研削し、次いで研削された半導体ウェハから他方の半導体ウェハに向けて下り傾斜のテーパ状の面取りを当該張り合せ半導体ウェハ全周縁に行ない、その後前記半導体素子が形成される側の表面に鏡面研磨を行うようにしたことを特徴とする張合せウェハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 331