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J-GLOBAL ID：200903085531749066

半導体装置の製造方法

Inventor： 藤井 邦宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999026446
Publication number (International publication number)：2000223477
Application date： Feb. 03, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 酸素プラズマ処理でレジスト除去の後に大気中に取り出すと、フッ素がアルミニウム合金膜を浸食し、スルーホールがその反応生成物で埋設され、スルーホールの電気特性及び良品率を著しく低下させる。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、フロロカーボン系のガスによりスルーホールをドライエッチングにて開孔し、その後、スルーホール内に堆積した反応生成物中のフッ素を還元除去可能な水素を含有するガスと酸素との混合ガスを用いたプラズマ処理により、レジスト並びにフッ素を除去することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

フロロカーボン系のガスにより、スルーホールをドライエッチングにて開孔するドライエッチング工程と、その後、スルーホール内に堆積した反応生成物中のフッ素を還元除去可能な水素を含有するガスと酸素との混合ガスを用いたプラズマ処理により、レジスト並びにフッ素を除去するプラズマ処理工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A

F-Term (53)：

5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BD05 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ96 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-057731   Applicant：日本電気株式会社
• 試料の後処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-298413   Applicant：株式会社日立製作所