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J-GLOBAL ID：200903085539488822

原子、分子線による表面処理方法およびその装置

Inventor： 横川 賢悦 ,  川浪 義実 ,  水谷 巽
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993179593
Publication number (International publication number)：1995037807
Application date： Jul. 21, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 クリ-ニングやエッチング等に代表される半導体基板の表面処理を行う方法およびその装置を提供するものである。特に気相中において高速で、高精度な表面処理を被加工試料に損傷を与える事なく実現できる表面処理方法およびその装置を提供する。【構成】 被加工試料が設置された気相1と該気相とは別の排気手段を有する反応領域3を設ける。該反応領域と該気相中とは微小孔4により接続されている。該反応領域には2種類以上のガスをそれぞれ任意の流量で導入できるガス導入手段5と該反応領域に導入されたガスの化学反応を誘起する点火手段8が付加される。

Claim (excerpt)：

原子または分子線をもちいて表面処理を行う方法において、該原子または分子線が2種類以上の原子または分子を反応領域で化学反応させ、該化学反応に伴なう化学エネルギ-により高速化した原子または分子である事を特徴とする原子、分子線による表面処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/203 ,  C23F 4/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341