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J-GLOBAL ID：200903085539573471
アンチフュ-ズ素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994005790
Publication number (International publication number)：1995211873
Application date： Jan. 24, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 プログラム後の抵抗が十分低く、リソグラフィ-で規定される寸法より小さなアンチフュ-ズ素子を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板11上に第1の金属層21及び第1の絶縁膜22とからなる第1の電極層20を形成後、アンチフュ-ズ絶縁膜13を全面に形成し、第1の電極層20に対し、マトリクス状に第2の電極層30をアンチフュ-ズ絶縁膜13上に形成し、アンチフュ-ズ素子を第1の電極層20の側壁部分に自己整合的に形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された第1の電極層と、上記第1の電極層の上面のみに設けられた第1の絶縁層と、上記第1の電極層の少なくとも一方の側壁部分上に形成されたアンチフュ-ズ絶縁層と、上記アンチフュ-ズ絶縁層を被覆する第2の電極層とを具備するアンチフュ-ズ素子。
IPC (2)：
H01L 27/10 431
, H01L 21/82
