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J-GLOBAL ID：200903085540496510

ナノインプリントパターン形成用金型およびナノレベルのパターンを有する部材の製造方法

Inventor： 大橋 健也 ,  皆田 晋介 ,  鵜飼 征一 ,  庄司 康則 ,  小西 勝広
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
Agent (2)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005227502
Publication number (International publication number)：2007042969
Application date： Aug. 05, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：

【課題】 半導体デバイスなどの製造工程において、パターン転写後の基板の不良率を低減することができるナノインプリントパターン形成用金型およびナノレベルのパターンを有する部材の製造方法を提供する。【解決手段】 ナノインプリントパターン形成用金型1Aには、被転写基板10の分割相当箇所に分割切れ込み部13Aを転写するための分割用切れ込み形成部としてのノッチ形成用凸部3Aが形成されている。被転写基板10にナノインプリントパターン形成用金型1AによってパターンPが転写されると、ノッチ形成用凸部3Aが転写パターン形成層を貫通して、基板本体11にノッチ13aが形成される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

被転写基板にナノレベルのパターンを転写し、前記ナノレベルのパターンが転写された被転写基板を分割してナノレベルのパターンを有する部材を製造するためのナノインプリントパターン形成用金型であって、 前記被転写基板の表面にナノレベルのパターンを転写する際に、前記被転写基板の少なくとも一部の分割相当箇所に分割切れ込み部を転写するための分割用切れ込み形成部が設けられていることを特徴とするナノインプリントパターン形成用金型。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  B81C 5/00 ,  B29C 33/38 ,  B29C 39/26 ,  B29C 59/02

FI (5)：

H01L21/30 502D ,  B81C5/00 ,  B29C33/38 ,  B29C39/26 ,  B29C59/02 B

F-Term (31)：

4F202AA44 ,  4F202AF01 ,  4F202AH33 ,  4F202AJ06 ,  4F202AK04 ,  4F202AK09 ,  4F202AR13 ,  4F202CA01 ,  4F202CA09 ,  4F202CB01 ,  4F202CD02 ,  4F202CD23 ,  4F202CK23 ,  4F202CK89 ,  4F202CN01 ,  4F202CN17 ,  4F202CN18 ,  4F202CN24 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PC06 ,  4F209PC07 ,  4F209PN03 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046BA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許第5,259,926号明細書
  
• 米国特許第5,772,905号明細書
  
• スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-224327   Applicant：株式会社日立製作所