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J-GLOBAL ID：200903085555375183

プラズマ装置

Inventor： 今福 光祐
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 守谷 一雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044718
Publication number (International publication number)：1993243190
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ装置の稼働率を向上させる。【構成】 上部電極24と下部電極25を備えた反応容器23内に反応ガスを導入し、下部電極25上の半導体ウェハ10のプラズマ処理を行うプラズマ発生領域41と、下部電極25より下方に設けられた排気口40近傍の排気領域42を分離する排気リング37の下方にトラップ44を設ける。トラップ44は、多孔質体で形成され、冷媒流路を埋設させる。反応容器23のプラズマ発生領域41の壁内及び排気リング37内にはそれぞれヒータ43または38を設ける。【効果】 反応生成物はヒータで加熱される反応容器23及び排気リング37には付着せず、冷却されて低温のトラップ44に析出する。そのためメンテナンスはトラップ44を交換するのみでよく短時間で行え、稼働率を向上できる。

Claim (excerpt)：

上部電極及び下部電極を設けた反応室を備え、前記上部電極及び前記下部電極間に印加することにより発生される反応ガスのプラズマにより前記下部電極上に載置された被処理体をプラズマ処理するプラズマ装置において、前記反応室内の前記被処理体より下方部分に反応生成物を捕捉するトラップを設けたことを特徴とするプラズマ装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-245526
  
• 特開昭61-265815
  
• 特開平2-194627
  
• 特開昭57-177326