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J-GLOBAL ID：200903085556328715

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 木戸口 勲 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992106324
Publication number (International publication number)：1993299768
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、CODの発生を抑制することができ、高い光出力を得ることができる半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を介してGaInP活性層4をn-AlGaInPクラッド層3およびp-AlGaInPクラッド層5で挟むダブルヘテロ構造を有する。GaInP活性層4にキャリアを注入するためのキャリア供給部11と光を共振するためのへき開面である共振ミラー12との間には高抵抗部13がある。高抵抗部13の幅は共振ミラー11面を端として約5μmである。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板と、前記基板上の活性層と、前記活性層にキャリアを注入するためのキャリア供給部と、前記キャリア供給部と共振ミラーとの間に高抵抗部とを有し、前記高抵抗部を構成する材料が前記キャリア供給部と同じであることを特徴とする半導体レーザ。