Pat
J-GLOBAL ID:200903085558386372
パターン形成材料及びパターン形成方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000117688
Publication number (International publication number):2001305737
Application date: Apr. 19, 2000
Publication date: Nov. 02, 2001
Summary:
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、スカムを殆ど発生させることなく、良好なパターン形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決方法】 パターン形成材料は、[化1]の一般式で表わされるシロキサン化合物(但し、R1 は、同種又は異種であって、アルキル化合物、エステル化合物、エーテル化合物、スルフォン化合物、スルフォニル化合物又は芳香族化合物である。)を含むベース樹脂を有している。【化1】
Claim (excerpt):
[化1]の一般式で表わされるシロキサン化合物(但し、R1は、同種又は異種であって、アルキル化合物、エステル化合物、エーテル化合物、スルフォン化合物、スルフォニル化合物又は芳香族化合物である。)を含むベース樹脂を有することを特徴とするパターン形成材料。【化1】
IPC (10):
G03F 7/039 601
, C08G 77/14
, C08G 77/28
, C08G 77/48
, C08L 83/06
, C08L 83/08
, C08L 83/14
, G03F 7/075 511
, G03F 7/20 502
, H01L 21/027
FI (11):
G03F 7/039 601
, C08G 77/14
, C08G 77/28
, C08G 77/48
, C08L 83/06
, C08L 83/08
, C08L 83/14
, G03F 7/075 511
, G03F 7/20 502
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 515 B
F-Term (35):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA09
, 2H025AA10
, 2H025AB16
, 2H025AC05
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB32
, 2H025CB33
, 2H025CB41
, 2H097BA06
, 2H097CA13
, 2H097FA03
, 2H097JA03
, 2H097LA10
, 4J002CP031
, 4J002CP051
, 4J002CP101
, 4J002CP191
, 4J002EV296
, 4J002FD206
, 4J002GP03
, 4J035BA11
, 4J035BA12
, 4J035BA15
, 4J035CA072
, 4J035CA262
, 4J035HA01
, 4J035LB16
, 5F046CA04
, 5F046CA07
Patent cited by the Patent:
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