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J-GLOBAL ID：200903085580238425

p型III族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置

Inventor： 岩田 浩和
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001153583
Publication number (International publication number)：2002353144
Application date： May. 23, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】 効率よく高濃度に3原子複合体ドーパントを母体結晶中にドーピングできる低抵抗のp型III族窒化物半導体およびその作製方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板10上に、低温GaNバッファー層11、p型GaN層12が順次に形成されている。ここで、p型GaN層12は、p型不純物のMg(マグネシウム)とO(酸素)が、それぞれ、Mgは1×1020cm-3程度、O(酸素)は3×1019cm-3程度ドーピングされている。

Claim (excerpt)：

アクセプター性不純物とドナー性不純物の複合体を含むp型III族窒化物半導体の作製方法において、アクセプター性不純物元素とドナー性不純物元素との結合を有する化合物をドーパント原料に使用してp型III族窒化物半導体を作製することを特徴とするp型III族窒化物半導体の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/15 ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 27/15 Z ,  H01L 29/201 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (52)：

5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CB03 ,  5F041CB11 ,  5F041CB32 ,  5F041FF01 ,  5F041FF13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CA13 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA01 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB03 ,  5F073CB16 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA30 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23