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J-GLOBAL ID：200903085595045232

堆積プロセスにおけるSiH4ソーク及びパージの利用

Inventor： メン チュ ツェン ,  メイ チャン ,  ラマヌジャプラム エー. スリニバス ,  クラウス-ディエター リネン ,  モシェ アイゼンバーグ ,  スーザン テルフォード
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995249796
Publication number (International publication number)：1996236464
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 CVDプロセスの改良。【解決手段】 ガス混合物を用いて物質を基板表面に堆積するステップと、SiH4をチャンバに流すことにより残留ガスをパージするステップとを含む。好ましくは、WF6、ジクロロシラン、および貴ガスの混合物を用いて、WSixが半導体ウエハ上に堆積され、そして、チャンバが、その後SiH4をチャンバに流すことにより、残留WF6とジクロロシランがパージされるさらに、基板上に物質を堆積する前に、チャンバをSiH4をチャンバ内に流すことによりコンディション化するステップを含む。さらに、本発明に係る方法のために真空プロセス装置は、チャンバ、WSixのような物質を、チャンバ内で基板の上に堆積する手段、およびチャンバをSiH4でパージする手段を有する。

Claim (excerpt)：

真空プロセス装置のチャンバ内で基板をプロセスする方法であって、(i) 前記基板の表面上に物質を堆積するステップと、(ii)SiH4を前記チャンバに流すことにより、前記チャンバをパージして前記堆積ステップから残留する残留ガスを除くステップとを有する方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-061324
  
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-360524   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-294532