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J-GLOBAL ID:200903085598527963
強誘電体伝送線路
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993256863
Publication number (International publication number):1995111407
Application date: Oct. 14, 1993
Publication date: Apr. 25, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体ダイオードを用いず、強誘電体材料と導体パターンのみでマイクロ波伝送線路を構成し、低価格で寄生リアクタンス成分の影響のない各種のマイクロ波回路を実現する。【構成】 接地導体4上に設けた強誘電体基板材1上に、マイクロ波を伝搬させる導体パターン3を形成する。導体パターン3に印加する電圧を変化させると、強誘電体基板材1の誘電率を変化させることができる。印加する電圧がつくる電界と伝搬されるマイクロ波がつくる電界は同じ方向であるので、導体パターン3を伝搬するマイクロ波の特性を変化させることができる。
Claim (excerpt):
印加電界の大きさにより誘電率が変化する強誘電体材料を接地導体上に設け、前記強誘電体材料上にマイクロ波を伝搬させる伝送線路を導体パターンで形成し、前記導体パターンに印加する電圧によって、前記強誘電体材料の誘電率を変化させることにより、前記マイクロ波の特性を変化させることを特徴とする強誘電体伝送線路。
IPC (5):
H01P 3/08
, H01P 1/00
, H01P 1/203
, H01P 7/08
, H03D 3/16
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