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J-GLOBAL ID：200903085599372483

半導体コンポーネントとその製造方法

Inventor：
デリック リスターズ

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チャド バイントラウブ

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ジェイムズ エフ. ビューラー

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ジョン チーク

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Applicant, Patent owner：
アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

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Agent (3)： 鈴木 正剛 ,  佐野 良太 ,  村松 義人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004548664
Publication number (International publication number)：2006505131
Application date： Oct. 27, 2003
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
ソース側のハロー領域を有する絶縁ゲート電界効果半導体コンポーネント(100)と、半導体コンポーネント(100)の製造方法である。ゲート構造(112)は半導体基板(102)に形成される。ソース側のハロー領域(120)は半導体基板(102)に形成される。ソース側のハロー領域形成後、スペーサ(127、128、152、154)が、ゲート構造(112)の対辺に隣接して形成される。ソースエクステンション領域(136A)及びドレインエクステンション領域(138A)は、傾斜注入を用いて半導体基板(102)に形成される。ソースエクステンション領域(136A)は、ゲート構造(112)の下に延在する。一方で、ドレインエクステンション領域(138A)は、ゲート構造(112)の下に延在してもよく、あるいは、ゲート構造(112)から横方向に離間してもよい。ソース領域(156)及びドレイン領域(158)は、半導体基板(102)に形成される。
Claim (excerpt)：
半導体コンポーネント(100)を製造する方法であって、 主面(104)を有する第一導電型の半導体材料(102)を用意し、 前記主面(104)に、第一(114)及び第二(116)側面と上面(118)を持つゲート構造(112)を形成し、 前記主面(104)と垂直な方向に対して90度未満の角度を形成する傾斜注入を用いて、前記第一導電型のドーパントを前記半導体材料(102)に非対称に注入し、 前記ドーパント部分は、前記ゲート構造(112)の前記第一側面(114)に隣接しており、かつ、第一のハロー領域(120)として機能するものであって、かつ、 前記ゲート構造(112)の第一側面(114)に隣接している第二導電型の第一ドープ領域(156)と、前記ゲート構造(112)の前記第二側面(116)に隣接している第二導電型の第二ドープ領域(158)を前記半導体材料(102)に形成する、方法。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3)：
H01L29/78 301S ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 618F
F-Term (79)：
5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE33 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG37 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ04 ,  5F140AA11 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH30 ,  5F140BH35 ,  5F140BH36 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05 ,  5F140CF07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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