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J-GLOBAL ID：200903085605441034

真空マイクロエレクトロニック・デバイスの製造方法

Inventor： ロバート・ロナルド・ウィルバーグ ,  クロード・ジョンソン、ジュニア
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993296228
Publication number (International publication number)：1994232020
Application date： Nov. 26, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【構成】 真空封入されたキャビティのある微細構造の製造方法であり、シリコン素材の本体中にアルミニウムで充填されたキャビティを形成するステップと、その構造を加熱することにより、キャビティ中のアルミニウムをシリコン・ウェファへ吸収させ、キャビティ中に真空を残すステップとから構成される。実施例の1つでは、キャビティは、シリコン・ウェファへエッチングで形成され、アルミニウムを充填される。そのアルミニウム充填キャビティの上に二酸化シリコン(シリカ)の層が形成され、構造が加熱されて真空のキャビティが作られる。【効果】 本発明に応じて、アルミニウムで充填されたキャビティを形成してから加熱によりアルミニウを周囲の構造へ吸収させて真空を作り出すことにより、キャビティ内の真空に製造課程で使用したガスが混入することがない。真空中の圧力も、従来の製造方法に比べて低くなる。

Claim (excerpt)：

真空キャビティを組み込んだ微細構造の製造方法であり、ステップ1 アルミニウムを充填したキャビティをシリコン素材の本体に形成するステップと、ステップ2 前記アルミニウムを充填したキャビティがあり、酸化物の層をつけた前記シリコン・ウェファを加熱することにより、該キャビティ中の該アルミニウムを該シリコン・ウェファへ吸収させ、該キャビティ中に真空を残すステップとから構成される、前記製造方法。