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J-GLOBAL ID:200903085612698130
有機電界発光素子の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
吉田 研二 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000397025
Publication number (International publication number):2002198172
Application date: Dec. 27, 2000
Publication date: Jul. 12, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 最適なエージング処理を有機EL素子に施す。【解決手段】 有機膜の成膜工程、電極の形成工程及び素子の封止工程に加え、さらにエージング工程を備える。エージング工程は、予め測定した素子の輝度経時変化の測定結果を式(1)で表される輝度低下関数を用いてフィッティングし、そのフィッティングパラメータAi、kiを求め、これを用いて経験式(2)L0(1-a+aAimin) ・・・(2)(a=0.3〜1.2、Aimin=式(1)のkiのうち最小のkiを示す項のAi)からエージング処理によって低下させる目標輝度を求め、該目標輝度まで輝度が低下するよう素子を駆動することで実行する。エージング工程は、用いた有機膜の中で最も低いガラス転移温度以下かつ50°C以上の温度において、素子の初期輝度が1000〜20000cd/m2を達成する定電流または定電圧供給条件で実行する。
Claim (excerpt):
有機電界発光素子の製造方法において、有機膜の成膜工程と、電極の形成工程と、素子の封止工程と、予め測定した素子の輝度経時変化の測定結果を輝度低下関数でフィッティングして該輝度低下関数におけるフィッティングパラメータを求め、該求めたフィッティングパラメータを用い、経験式からエージング処理によって初期輝度から低下させる目標輝度を求め、該目標輝度まで前記素子の輝度が低下するよう前記素子を駆動するエージング工程と、を有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
F-Term (12):
3K007AB02
, 3K007AB11
, 3K007AB18
, 3K007BB01
, 3K007BB04
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA03
, 3K007FA04
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