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J-GLOBAL ID：200903085613594940

レジストパターンの形成方法

Inventor： 水島 賢子 ,  金光 英之 ,  山本 祐一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992248044
Publication number (International publication number)：1994095370
Application date： Sep. 17, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ネガ型レジストパターンの形成に関し、未露光部に残渣のないレジストパターンを形成することを目的とする。【構成】 フェノール樹脂に少なくとも酸発生剤と架橋剤とを添加してなるレジストにおいて、フェノール樹脂として良溶媒と貧溶媒とを使用して低分子量成分を除いたものを使用し、このレジストを被処理基板上に塗布し、電離放射線を選択露光した後に現像して未露光部を溶解することを特徴としてレジストパターンの形成方法を構成する。

Claim (excerpt)：

フェノール樹脂に少なくとも酸発生剤と架橋剤とを添加してなるレジストにおいて、前記フェノール樹脂として低分子量成分を含まないものを使用し、該レジストを被処理基板上に塗布し、電離放射線を選択露光した後に現像して未露光部を溶解することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (6)：

G03F 7/004 503 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027