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J-GLOBAL ID：200903085639456243

特性変調可能な超電導マイクロ波素子構造

Inventor： 飯山 道朝 ,  アルプ ティー. フィンディコグー
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社 ,  ユニヴァーシティ オブ メリーランド
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994110488
Publication number (International publication number)：1996046253
Application date： Apr. 26, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【構成】 誘電体基板4と、基板4上に順に積層された酸化物超電導体による超電導グランドプレーン11および誘電体層3と、誘電体層3上に配置された酸化物超電導薄膜の超電導インダクタパターン10が配置されている。超電導グランドプレーン11と超電導インダクタパターン10との間にバイアス電圧を印加して、超電導グランドプレーン11および超電導インダクタパターン10の導電性および誘電体層3の誘電特性を変化させ、これにより表面リアクタンスおよび表面抵抗を変更可能に構成されている。

Claim (excerpt)：

誘電体基板と、誘電体基板上に配置された酸化物超電導体による第1の超電導部材と、第1の超電導部材上に配置された誘電体層と、誘電体層上に配置された第2の導体部材とを備え、前記第1の超電導部材の導電性および/または前記誘電体層の誘電特性が、前記第1の超電導部材および第2の導体部材の間に印加された直流バイアス電圧により変化し、これにより表面リアクタンスおよび/または表面抵抗を変更可能に構成されていることを特徴とする集中定数型超電導マイクロ波素子構造。

IPC (6)：

H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA ,  H01P 1/18 ZAA ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/18 ZAA ,  H01P 9/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 高温度超電導膜および強誘電性膜を含む同調可能マイクロ波装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-513506   Applicant：スーパーコンダクティング・コア・テクノロジーズ・インコーポレーテッド, ユニバーシティ・リサーチ・コーポレーション