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J-GLOBAL ID：200903085642120248
パワーモジュール
高梨 健
About 高梨 健
Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社
About 三菱電機株式会社
Agent (4)： 高橋 省吾 , 稲葉 忠彦 , 村上 加奈子 , 中鶴 一隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008069469
Publication number (International publication number)：2009225612
Application date： Mar. 18, 2008
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：
【課題】 モールド樹脂で筐体を構成したパワーモジュールに関し、内部配線における浮遊インダクタンスにより引き起こされるサージ電圧を吸収し、電力損失を低減させる。【解決手段】 スナバコンデンサ13fを搭載したサージ電圧吸収素子基板13のP側接続端子13dとN側接続端子13eとを樹脂筐体14内でそれぞれP側端子8とN側端子9に接続することにより、スナバコンデンサを樹脂筐体内部のパワー半導体チップ近傍に配置することが可能となり、パワー半導体チップ両端に印加されるサージ電圧はスナバコンデンサにより吸収され、パワー半導体チップにおいて発生する電力損失をより低減させることが可能となった。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
相対向する2つの主面を有する第1のパワー半導体チップと、
相対向する2つの主面を有する第2のパワー半導体チップと、
前記第1のパワー半導体チップを固着支持している第1のベース板と
前記第2のパワー半導体チップを固着支持している第2のベース板と、
前記第1のベース板に接続されたP側端子と、
前記第2のベース板と前記第1のパワー半導体チップの一方の主面に接続されたAC出力端子と、
前記第2のパワー半導体チップの一方の主面に接続されたN側端子と、
2つの接続端子を有するサージ電圧吸収素子基板と
前記第1のパワー半導体チップ、第2のパワー半導体チップ、第1のベース板、第2のベース板及びサージ電圧吸収素子基板を封入する樹脂筐体と、
を備え、
前記サージ電圧吸収素子基板は、
相対向する2つの主面を有する支持基板と、
前記支持基板の一方の主面上に形成された第1の薄膜配線と、
前記支持基板の他方の主面上に形成された第2の薄膜配線と、
前記第1の薄膜配線上に固定され、その一方の端子は前記接続端子の内一方の接続端子と電気的に接続され、その他方の端子は前記接続端子の内他方の接続端子と電気的に接続されたサージ電圧吸収素子と、
を備え、
前記一方の接続端子は前記樹脂筐体内で前記P側端子に接続され、前記他方の接続端子は前記樹脂筐体内で前記N側端子に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (10)：
5H007AA01
, 5H007CA01
, 5H007CB02
, 5H007CB05
, 5H007CC06
, 5H007FA19
, 5H007FA20
, 5H007HA03
, 5H007HA04
, 5H007HA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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インバータ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-167735 Applicant：日本電装株式会社 -
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-069770 Applicant：三菱電機株式会社 -
電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-108466 Applicant：トヨタ自動車株式会社
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